Главная / Новости Hi-Tech / Toshiba внедряет 130 и 65 нм в микросхемы памяти

Toshiba внедряет 130 и 65 нм в микросхемы памяти

Toshiba Corporation анонсировала новый техпроцесс производства интегрированной флеш-памяти 65 нм с пониженным энергопотреблением, а также техпроцесс производства энергонезависимой памяти (NVM) с поликремниевым затвором 130 нм. Новые разработки будут применяться для расширения спектра продуктов в таких областях, как микроконтроллеры, интегральных микросхем беспроводной связи, драйверы контроллеров электродвигателей и интегральных микросхем для источников питания.

В связи с развитием рынка «Интернета вещей» растёт спрос на продукты с низким энергопотреблением, в числе которых носимые устройства и оборудование для здравоохранения. Учитывая это, Toshiba внедряет технологию ячеек третьего поколения SuperFlash компании Silicon Storage Technology в сочетании с собственным технологическим процессом производства логических интегральных микросхем 65 нм. Кроме того оптимизированы интегральные микросхемы и производственные процессы с целью создания технологии производства логических ИС со встроенной флеш-памятью со сверхнизким энергопотреблением. Микроконтроллеры для потребительских и промышленных устройств по техпроцессу 65 нм позволяют снизить энергопотребление примерно на 60%. Следующим шагом Toshiba выпустит ознакомительные образцы устройств Bluetooth Low Energy (BLE), беспроводной технологии ближнего радиуса действия, уже в 2016 году. Компания также планирует использовать процесс с проектной нормой 65 нм в производстве собственного семейства ИС беспроводной связи с низким энергопотреблением, включая NFC-контроллеры и бесконтактные карты. В итоге Toshiba рассчитывает добиться общего снижения энергопотребления систем до 50 мкА/МГц и использовать это в продуктах для «Интернета вещей». А для удешевления готовых решений компания разработала процесс производства встроенной энергонезависимой памяти (NVM), позволяющий формировать перезаписываемые ячейки (MTP) с поликремниевым затвором по технологии компании Yield Microelectronics Corporation 130 нм. Энергонезависимая память и аналоговые цепи формируются на одном кристалле, который может выполнять несколько функций, обычно реализуемых с применением многокристальной системы. Это снижает количество выводов и позволяет использовать более компактные корпуса. Использование спецификаций перезаписываемой памяти (MTP) для времени записи позволяет повысить эффективность нового процесса и ограничиться тремя или менее дополнительными операциями фотолитографии, или даже вообще отказаться от них. Используя перезаписываемую память для управления точностью выходных сигналов, компания Toshiba сможет расширить ассортимент продукции для сфер применения, требующих высокой точности, например ИС управления питанием. Поставки ознакомительных образцов 130 нм энергонезависимой памяти (NVM) и 65 нм флеш-памяти запланированы на 4 квартал 2015 года и 2 квартал 2016 года соответственно.

О Rona Ray

проверьте также

ESET обнаружила приложения для кражи криптовалюты в Google Play

Международная антивирусная компания ESET обнаружила в магазине приложений Google Play приложения, которые способны красть криптовалюту …

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

WP Facebook Auto Publish Powered By : XYZScripts.com