Представлен модуль флэш-памяти Toshiba NAND со стеком из 16 кристаллов

Компания Toshiba сообщила о разработке нового модуля флэш-памяти NAND со стеком из 16 кристаллов на базе технологии «сквозных кремниевых межсоединений» — Through Silicon Via. Прототип будет представлен на Саммите по технологиям флэш-памяти 2015, который состоится 11-13 августа в г. Санта-Клара, США. В предшествующих решениях стеки флэш-памяти NAND объединялись в корпусе микросхемы по принципу проволочного монтажа. Вместо этого, технология TSV использует вертикальные электроды и межсоединения, проходящие сквозь кремниевые кристаллы. Такое решение обеспечивает высокую скорость ввода и вывода данных и сокращает потребление электроэнергии. Предложенное компанией Toshiba решение Through Silicon Via, позволит добиться пропускной способности ввода-вывода данных более 1 Гбит/с, что превышает характеристики любой другой флэш-памяти NAND, при низком уровне напряжения: 1,8В для ядер памяти и 1,2В для схем ввода/вывода, и приблизительно 50% снижении энергопотребления при операциях записи, чтения и передачи данных ввода/вывода.

Общие спецификации прототипа Toshiba Through Silicon Via: