Ferralabs Профессионально о компьютерах
Samsung Electronics объявила о старте производства твердотельных накопителей SATA 250 ГБ на базе 256-гигабитных V-NAND модулей 6 поколения. В этих устройствах из более 100 слоев 3-битных ячеек применяется эксклюзивная технология «травления каналов», которая позволяет увеличить их число на 40 процентов в сравнении с предыдущим поколением. Причём на разработку и внедрение этих инноваций компания затратила не более 13 месяцев, сократив производственный цикл примерно на 1/3.
При увеличении высоты матрицы в каждой ячейке, микросхемы NAND становятся более подвержены ошибкам и задержкам чтения. Чтобы минимизировать это Samsung изменила конструкцию схемы, и теперь задержки составляют менее 450 микросекунд (мкс) для операций записи и менее 45 мкс для операций чтения. Это означает 15 процентную экономию энергии и 10 процентный рост производительности в сравнении с предыдущим поколением чипов.
«Внедряя передовые технологии 3D-памяти в модели массового производства, мы можем представить линейки памяти, которые обладают значительно большими скоростью и энергопотреблением, — заявил Ке Хён Кёнг (Kye Hyun Kyung), вице-президент департамента flash-памяти и технологии Samsung Electronics. — Благодаря сокращению цикла разработки продуктов V-NAND следующего поколения мы планируем активно расширять рынок наших высокоскоростных и высокопроизводительных решений на базе 512-гигабитных V-NAND».
