Высокопроизводительные модули памяти HBM2E третьего поколения

Компания Samsung Electronics представила Flashbolt — высокопроизводительной памяти третьего поколения 2E (HBM2E). Этот 16-гигабайтный (ГБ) модуль HBM2E подходит для систем высокопроизводительных вычислений (HPC) и способен помочь своевременно совершенствовать суперкомпьютеры для аналитики данных на основе искусственного интеллекта и работы с графикой. Новинка обладает вдвое большей емкостью по сравнению с предыдущим поколением HBM2 Aquabolt 8ГБ и увеличенной производительностью.