Главная / Новости Hi-Tech / Samsung создала первый 30-нм чип памяти DDR3 DRAM

Samsung создала первый 30-нм чип памяти DDR3 DRAM

Компания Samsung сообщила, что ей удалось произвести первый в мире 30-нм чип памяти DDR3 DRAM, плотность которого составляет 2 Гбита. Согласно заявлению производителя переход на новый более тонкий техпроцесс способствует повышению выпуска годной продукции на 60% по сравнению с 40-нм чипами, и в два раза снижает затраты на производство по сравнению с 50/60-нм технологией.

Другим немаловажным моментом является то, что новые 30-нм чипы потребляют на 30% меньше электроэнергии по сравнению с 50-нм решениями. Разработка Samsung найдет свое применение в широком спектре устройств – от настольных компьютеров до ноутбуков, в серверах, нетбуках и других мобильных девайсах. Массовое производство 30-нм чипом должно начаться во второй половине этого года.

О

проверьте также

Ноутбуки XPG появились в России

В Ситилинке впервые на российском рынке стартовали продажи высокопроизводительных ноутбуков бренда XPG Xenia от тайваньского …

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован.

WP2Social Auto Publish Powered By : XYZScripts.com