Ferralabs Профессионально о компьютерах
Компания Samsung выпустила первый в мире чип памяти DDR3 SDRAM емкостью 1 Гб (4 Гбит). Это стало возможно благодаря использованию 50-нанометрового технологического процесса и позволит создавать модули памяти объемом 8 Гб, что в два раза больше, чем это было возможно до сих пор. Таким образом, при наличии 4 слотов для памяти на материнской плате максимальный объем памяти может составлять 16 Гб. Скоростные показатели чипа при этом не пострадали — данные могут передаваться со скоростью до 1,6 Гбит/с.
Еще одним плюсом перехода на более тонкий техпроцесс является уменьшение тепловыделения. К примеру, модуль памяти DDR3 объемом 4 Гб с использованием новых чипов будет потреблять на 20% энергии меньше, чем сегодняшние решения. Представители Samsung пока не огласили даты начала массового производства 4-гигабитных чипов, а вот 2-гигабитные варианты, позволяющие делать модули памяти объемом 4 ГБ, будут доступны в сентябре этого года.
