Toshiba и Samsung сделают NAND Flash память быстрее

Два ведущих производителей Flash памяти в мире, Toshiba и Samsung, официально объявили о создании совместного предприятия по производству NAND Flash в соответствии со спецификацией DDR 2. Как заявили японцы и южнокорейцы, такие микросхемы памяти будут способны передавать данные на скорости 400 Mpbs (Мб/с).

Стоит отметить, что Samsung уже наладила серийный выпуск памяти DDR NAND, но в соответствии со спецификации DDR1.0. Такие микросхемы могут передавать информацию на скорости не выше 133Mbps (Мб/с). Данная технология еще известна под другим названием, Toogle DDR, но видимо, Samsung и Toshiba сочли её устаревшей и теперь обе компании объединяют усилия, чтобы наладить производство NAND DDR 2.0.

Напомним, что теоретически микросхемы NAND DDR2 могут передавать данные на скорости от 40 до 400 Mbps, то есть в десять раз быстрее, чем память NAND Flash, изготовленная по технологии SDR NAND.