Toshiba и SanDisk подпортили праздничное настроение у Intel и Micron. Как стало известно, сегодня знаменитая японкая компания и её американский партнетр заявили, что они уже разработали изготовили первую микросхему NAND Flash памяти по техпроцессу 19 нм. Её объём — 8 Гбайт.
Как заявлено, данная микросхема имеет конструкцию MLC (Multi-Level Cell), и по размеру кристалла она меньше, чем аналогичная микросхема (8 Гбайт), изготовленная IM Flash Technologies по техпроцессу 20 нм (118 кв. мм). Как обещают Toshiba и SanDisk, рассылка тестовых образцов таких микросхем должна начаться в конце этого месяца, а серийное производство — в III квартале. Напомним, что IM Flash Technologies планирует наладить серийный выпуск микросхем NAND Flash памяти по техпроцессу 20 нм во второй половине этого года.
Стоит отметить, что первые 19-нм микросхемы NAND Flash памяти от Toshiba и SanDisk поддерживают технологию Toggle DDR 2.0, которая позволяет существенно повысить скорость обмена данными. Более того, благодаря многоуровневой конструкциии можно увеличить объём таких микросхем до 128 Гбайт.