Главная / Новости Hi-Tech / Toshiba приготовила 19-нм модуль NAND Flash памяти

Toshiba приготовила 19-нм модуль NAND Flash памяти

Toshiba и SanDisk подпортили праздничное настроение у Intel и Micron. Как стало известно, сегодня знаменитая японкая компания и её американский партнетр заявили, что они уже разработали изготовили первую микросхему NAND Flash памяти по техпроцессу 19 нм. Её объём — 8 Гбайт.

Как заявлено, данная микросхема имеет конструкцию MLC (Multi-Level Cell), и по размеру кристалла она меньше, чем аналогичная микросхема (8 Гбайт), изготовленная IM Flash Technologies по техпроцессу 20 нм (118 кв. мм). Как обещают Toshiba и SanDisk, рассылка тестовых образцов таких микросхем должна начаться в конце этого месяца, а серийное производство — в III квартале. Напомним, что IM Flash Technologies планирует наладить серийный выпуск микросхем NAND Flash памяти по техпроцессу 20 нм во второй половине этого года.

Стоит отметить, что первые 19-нм микросхемы NAND Flash памяти от Toshiba и SanDisk поддерживают технологию Toggle DDR 2.0, которая позволяет существенно повысить скорость обмена данными. Более того, благодаря многоуровневой конструкциии можно увеличить объём таких микросхем до 128 Гбайт.

О

проверьте также

Новый SSD ADATA LEGEND 960 MAX

Появление материнских плат Intel и AMD нового поколения вызвало волну замены потребительских ПК, а также …

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован.

WP2Social Auto Publish Powered By : XYZScripts.com