Elpida показала микросхемы памяти для будущих мобильных устройств

Elpida официально объявила, что ей удалось изготовить первые микросхемы памяти с применением технологии High-K Metal Gate. На данный момент уже японцы уже освоили производство микросхем памяти LPDDR2 (для мобильных устройст) ёмкостью 2 Гбит. Новинки изготовлены по техпроцессу 40 нм.

Как заявила Elpida, технология High-K Metal Gate позволяет существенно улучшить энергоэффективность микросхем памяти, что в дальнейшем приведет к повышению срока автономной работы будущих мобильных устройств. Рассылка тестовых образцов 40-нм микросхем LPDDR2 должна начаться в этом финансовом году, который завершается 31 марта 2012 года. Elpida также планирует освоить производство таких микросхем памяти по техпроцессам 30 и 25 нм.