IBM разработала сверхбыструю память

IBM добилась весьма важного успеха в процессе создания сверхбыстрой памяти. Как заявила американская корпорация, её ученые разработали революционную технологию по изготовлению памяти на фазовых переходах (Phase-Change Memory). По словам IBM, такие микросхемы читают и записывают данные в сто раз быстрее, чем существующие микросхемы NAND Flash.

Как известно, один из главных недостатков Flash памяти заключается в том, что она может записывать 1 бит информации на каждую одноуровневую ячейку. В отличие от неё многоувроневые микросхемы PCM IBM могут хранить до 4 битов в каждой ячейке. Более того, они обладают весьм длительным сроком службы — до 10 млн. циклов записи. Напомним, что средний срок службы 25-нм NAN Flash памяти составляет порядка 3000 циклов записи.

Первый образец памяти PCM от IBM изготовлен с применением технологии CMOS по техпроцессу 90 нм. Как заявила американская компания, его латентность составляет 100 мс. Другими словами, он в 100 раз быстрее, чем самые быстрые из существующих образцов NAND Flash памяти.

По прогнозам IBM, первые серийные микросхемы памяти PCM появятся не раньше, чем через 5-6 лет.