Samsung бьет рекорды плотности записи

Южнокорейская компания Samsung сообщила о выпуске первого в мире чипа памяти DDR3 DRAM с рекордной емкостью 4 Гбита, выполненного по нормам 50-нм техпроцесса. Работая под напряжением 1,35 В устройство обладет максимальной скоростью передачи данных 1,6 Гбит/с. Новые чипы станут основой для изготовления модулей регистровой памяти вместимостью 16 ГБ предназначенных для серверов и модулей для настольных компьютеров и ноутбуков объемом 8 ГБ. А при использовании технологии DDP (Dual-Die Package), максимально достижимая емкость планок памяти может достигать 32 ГБ. Переход на использование чипов с повышенной плотостью записи приведет к существенному снижению денежных затрат на изготовление модулей памяти, что в итоге положительно скажется на цене продукта.

О сроках начала массового производства новых чипов памяти DDR3 рекордной емкости производитель, к сожалению, пока ничего не сообщает.