Ferralabs Профессионально о компьютерах
После многих лет интенсивных исследований, наконец, вчера Intel официально объявила, что она готова применять так называемые транзисторы с трехмерной структурой (tri-gate transistor, 3D transistor) в серийных микросхемах. Как заявил Марк Бор (Mark Bohr), старший научный сотрудник Intel, такие микросхемы будут обладать невиданной доселе производительностью, а по энергоэффективности онм смогут оставить далеко позади все имеющиеся образцы.
По данным от Intel, 22-нм 3D транзисторы на 37 процентов производительнее по сравнению с 32-нм планарными транзисторами при работе под низким напряжением, и что не менее важно они потребляют на 50 процентов меньше энергии, чем 2D транзисторы, изготовленные по техпроцессу 32 нм. Как выяснилось, 3D транзисторы имеют трехмерную структуру затвора, которая, как утверждает Intel, предоставляет больше возможностей при управлении рабочим током и обеспечивает более быстрое переключение между рабочими состояниями.
Как заявила Intel, данная технология будет внедряться на 22-нм микросхемах. Это означает, что процессоры Ivy Bridge, которые будут выпущены в начале следующего года, будут использовать 3D транзисторы. По плану Intel, их серийное производство должно начаться уже во второй половине этого года.
