Компания Semiconductor Research Corporation (SRC) совместно с исследователями Йельского университета поделились с общественностью результатами своих изысканий в области улучшения работы чипов памяти DRAM. Ученым удалось добиться значительных улучшения благодаря использованию ферроэлектрических слоев, которые не нуждаются в использовании конденсаторов для хранения данных, используемых в ячейках современной памяти. Новая память получила название Ferroelectric DRAM (FeDRAM).
Что же дает конечному пользователю FeDRAM? Во-первых, размеры ячеек становятся меньше, а значит, уменьшатся размеры чипов и их емкость станет больше, время, в течение которого информация будет храниться в ячейках увеличится как минимум в 1000 раз и, конечно же, уменьшится энергопотребление. Также есть возможность хранения нескольких бит в одной ячейке, как это сейчас делают в чипах флеш-памяти. Исследователи обещают приемлемую цену и сосредоточились на изготовлении рабочего прототипа FeDRAM, но до коммерческого внедрения такой памяти еще придется подождать.