Главная / Новости Hi-Tech / Ученые обещают память DRAM нового поколения

Ученые обещают память DRAM нового поколения

Компания Semiconductor Research Corporation (SRC) совместно с исследователями Йельского университета поделились с общественностью результатами своих изысканий в области улучшения работы чипов памяти DRAM. Ученым удалось добиться значительных улучшения благодаря использованию ферроэлектрических слоев, которые не нуждаются в использовании конденсаторов для хранения данных, используемых в ячейках современной памяти. Новая память получила название Ferroelectric DRAM (FeDRAM).

Что же дает конечному пользователю  FeDRAM? Во-первых, размеры ячеек становятся меньше, а значит, уменьшатся размеры чипов и их емкость станет больше, время, в течение которого информация будет храниться в ячейках увеличится как минимум в 1000 раз и, конечно же, уменьшится энергопотребление.   Также есть возможность хранения нескольких бит в одной ячейке, как это сейчас делают в чипах флеш-памяти. Исследователи обещают приемлемую цену и сосредоточились на изготовлении рабочего прототипа  FeDRAM, но до коммерческого внедрения такой памяти еще придется подождать.

О

проверьте также

HIPER расширяет линейку мониторов: в продажу поступили две модели с диагональю 32 дюйма

Бренд HIPER, надежный поставщик решений для бизнеса, представляет две новинки в категории мониторы. В продажу …

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

WP2Social Auto Publish Powered By : XYZScripts.com