Главная / Новости Hi-Tech / Micron и Intel анонсировали флеш-память 3D NAND

Micron и Intel анонсировали флеш-память 3D NAND

Micron и Intel объявили о доступности технологии 3D NAND, позволяющей создавать флеш-память с самым высоким в мире уровнем плотности размещения ячеек памяти. Новая технология 3D NAND, разработанная в результате сотрудничества Intel и Micron, с высоким уровнем точности размещает слои ячеек для создания решений хранения данных, которые будут иметь в 3 раза большую емкость по сравнению с устройствами на базе технологии NAND. «Сотрудничество Micron и Intel позволило создать ведущую в отрасли твердотельную технологию хранения данных, которая обеспечивает высокую плотность размещения ячеек, высокую производительность и эффективность и значительно превосходит по рабочим характеристикам флеш-память. Технология 3DNAND имеет большой потенциал для того, чтобы коренным образом изменить рынок памяти». – прокомментировал Брайан Ширли (Brian Shirley), вице-президент по технологиям памяти компании Micron.

«Технологическое сотрудничество Intel и Micron отражает наше стремление предложить на рынке передовые технологии энергонезависимой памяти. Преимущества более высокой плотности и экономии, обеспечиваемые нашей новой технологией 3NAND, ускорят внедрение твердотельных решений для хранения данных», – заявил Роб Крук (Rob Crooke), старший вице-президент и руководитель подразделения Non-Volatile Memory Solutions Group корпорации Intel. Одним из самых важных аспектов новой технологии является разработка принципиально новых ячеек памяти. Intel и Micron выбрали ячейки с плавающим затвором, универсальную технологию, которая на протяжении многих лет использовалась при массовом производстве планарной флеш-памяти. Этот проект стал первым примером использования ячеек с плавающим затвором для трехмерной памяти на базе технологии 3D NAND. Кроме того, такой подход обеспечил более высокую производительность, качество и надежность. Новая технология 3D NAND создает 32 слоя ячеек памяти, что позволяет обеспечить 256 Гбит для типа MLC и 384 Гбит для типа TLC. Увеличенная емкость дает возможность создавать твердотельные накопители размером с пластинку жевательной резинки с более чем 3,5 ТБайт для хранения данных и стандартные твердотельные накопители формата 2,5 дюйма, на которых можно хранить более 10 ТБайт данных.

Основные характеристики продукции на базе технологии 3D NAND:

  • Увеличенная емкость. В 3 раза более высокая емкость по сравнению с существующей технологией 3D – до 48 ГБайт памяти NAND на кристалл – для реализации 75% одного терабайта емкости в корпусе размером с палец.
  • Более низкая стоимость на 1 ГБайт. Первое поколение памяти 3D NAND спроектировано таким образом, чтобы обеспечить более высокую экономическую эффективность по сравнению с планарной памятью NAND.
  • Высокая скорость работы. Большая пропускная способность для операций чтения/записи, высокая скорость операций ввода/вывода и высокая производительность при операциях чтения в произвольном режиме.
  • Низкое энергопотребление. Новые режимы ожидания обеспечивают низкое энергопотребление за счет обесточивания неиспользуемых кристаллов памяти NAND (даже если другой кристалл в корпусе используется).
  • Интеллектуальный дизайн. Инновационные функции снижают латентность и увеличивают срок службы по сравнению с предыдущими поколениями продукции, что значительно упрощает интеграцию.

MLC-версия (256 Гбит) памяти 3D NAND уже доступна для некоторых партнеров в виде образцов, а тестовые поставки TLC-версии (384 Гбит) начнутся уже весной 2015 года.

О Rona Ray

проверьте также

Начало поставок ускорителя ИИ Qualcomm Cloud AI 100 Accelerator

Qualcomm Technologies, Inc. анонсировала начало поставок высокопроизводительного ускорителя искусственного интеллекта Qualcomm Cloud AI 100 ряду …

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

WP2Social Auto Publish Powered By : XYZScripts.com