Toshiba Memory Europe GmbH заявила о разработке 96-слойной флеш-памяти BiCS FLASH – устройства хранения данных на основе собственной технологии 3D флеш-памяти с четырехуровневыми ячейками (QLC).
Данная технология предусматривает увеличение количества бит данных в ячейке памяти с трех до четырех, что позволит существенно расширить объем. Устройство обладает максимальным в отрасли объемом памяти – 1,33 ТБ на одном кристалле и разработано совместно с компанией Western Digital Corporation. Оно также позволяет достичь непревзойденной емкости 2,66 ТБ в одном корпусе за счет использования многоуровневой архитектуры.
Toshiba Memory начнет поставки образцов производителям SSD-дисков и контроллеров SSD-дисков для оценки в начале сентября, а начало серийного производства ожидается в 2019 году.