Компания Toshiba Memory объявила о запуске в производство нового решения в области памяти— XL-FLASH™, которое представляет собой память класса хранилища, или энергонезависимую память, способную сохранять содержимое аналогично флеш-памяти NAND и устранять разрыв в производительности между памятью типов DRAM и NAND. Хранилище, созданное на основе собственной инновационной технологии TME — 3D-флеш-памяти BiCS FLASH™ с размещением 1 бита данных в ячейке (SLC) — обеспечивает низкую задержку и высокую производительность, востребованные в дата-центрах и корпоративных хранилищах данных. В характеристиках числится: кристалл емкостью 128 Гб, размер страницы 4 КБ для повышения эффективности чтения и записи операционной системой, 16-секционная архитектура для более эффективной параллельной работы. Также стоит отметить низкое время чтения и программирования страниц, а именно менее 5 микросекунд, что примерно в 10 раз быстрее по сравнению с существующей памятью TLC.
Ознакомительные образцы будут доступны уже в сентябре 2019 года, а начало серийного производства запланировано на 2020 год.